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硅绝缘体CMOS技术

绝缘硅CMOS技术

绝缘硅CMOS技术的关键是集成电路三极管和衬底间的二氧化硅(SiO2)绝缘层

绝缘硅CMOS技术的关键是集成电路三极管和衬底间的二氧化硅(SiO2)绝缘层。这一特性具有诸多优势:

  • 较低的基底泄漏电流,使电路持续工作温度高达225°C,甚至300°C
  • 减少了电容,可制造更快和功耗更低的电路
  • 通过与衬底硅的绝缘,大大减少了灵敏的复合信号电路的噪音

在极端温度下,产品的封装和装配对产品的可靠性有着至关重要的作用。我们采用的方法和材料确保了产品在严酷环境下的质量和可靠性。我们可针对客户应用提供多专用集成电路(ASIC)封装,其中许多都符合MIL-PRF-38535和MIL-STD-883标准,适合极端环境应用。

此外,多芯片模块(MCM)也采用坚固的封装材料和密封方法。目前,我们已经成功实现了将超过20个芯片集成在一个封装内的设计。

通过HT2000门阵列技术可实现高水平集成,可实现高达290k可用门电路。该技术也支持模拟和混合信号设计。

通过使用正式的相位门工艺,我们确保了SOI CMOS和产品的可靠性。执行该方法时,我们还持续坚持自身的通用制造标准,确保:

  • 通过专门设计的试验结构,包括电迁移、时间相关的介质击穿(TDDB)、热载流子、负偏置温度不稳定性和辐射,总结出失效机制,并基于此建立电气规则,从而实现可靠性设计
  • 采用结构化的受控设计流程
  • 统计上受控的晶片制造过程和持续缺陷减少过程
  • 通过工艺监控测试实现单独的晶片分组验收
  • 使用了有特色和合格的封装及装配方法,所有部件可承受高达250°C的环境温度
  • 元件级的可靠性数据采集显示:产品在规范内使用时,可在225°C下使用5年或更长时间

通过这些SOI元件和高温设计技术相结合,能大大提高智能产品的可靠性和寿命。目前,人们已经完成了从250°C到300°C温度范围的超过250万小时的设备寿命测试。